发明名称 |
晶体管阵列及其制造方法、以及图像处理器件 |
摘要 |
本发明提供一种晶体管阵列和利用它的图像处理器件,在单一的绝缘性衬底上设置了多个晶体管,具有:利用由多晶硅构成的第1半导体层形成的多个多晶硅薄膜晶体管,形成在上述衬底上;多个具有非晶硅薄膜晶体管结构的功能元件,利用由非晶硅构成的第2半导体层形成,上述第2半导体层形成在上述第1半导体层的上层侧。在此,上述多晶硅薄膜晶体管及上述功能元件分别具有由导电体层构成的多个电极层,例如,上述功能元件的至少任何一个上述电极层与上述多晶硅薄膜晶体管的任何一个上述电极层设置在同一层中。 |
申请公布号 |
CN100454538C |
申请公布日期 |
2009.01.21 |
申请号 |
CN200510005952.3 |
申请日期 |
2005.01.31 |
申请人 |
卡西欧计算机株式会社 |
发明人 |
佐佐木和广;松本广;角忍 |
分类号 |
H01L27/00(2006.01);H01L31/10(2006.01);H01L21/77(2006.01);H04N1/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
黄剑锋 |
主权项 |
1、一种晶体管阵列,在单一的绝缘性衬底上设置了多个晶体管,其特征在于,至少具有在上述衬底上直接层叠的多个半导体层、多个导电体层以及多个绝缘层;上述多个半导体层包括:第1半导体层,由多晶硅构成;以及第2半导体层,由非晶硅构成,隔着至少一个上述绝缘层,以上述衬底为基准设置在上述第1半导体层的上层侧;上述晶体管阵列还具备:多个多晶硅薄膜晶体管,至少使用上述第1半导体层和由上述多个导电体层构成的至少一个电极层而形成;功能元件,具有至少使用上述第2半导体层和由上述多个导电体层构成的至少一个电极层而形成的多个非晶硅薄膜晶体管结构。 |
地址 |
日本东京都 |