制备GaN晶体衬底的方法

摘要

本发明提供一种制备GaN晶体衬底的方法，该方法抑制在GaN晶体生长中的凹坑尺寸的增大以便制备具有高的衬底获得率的GaN晶体衬底。该制备GaN晶体衬底的方法包括通过气相生长技术在生长衬底(1)上生长GaN晶体(4)的步骤，所述GaN晶体衬底的制备方法的特征在于：在所述生长GaN晶体的步骤中，在晶体生长表面形成限定刻面平面(5F)的凹坑(6)，且特征在于，凹坑的凹坑尺寸增大因子为20％或以下。

主权项

1.一种制备GaN晶体衬底的方法，所述方法包括通过氢化物气相外延生长技术在生长衬底上生长GaN晶体的步骤，所述制备GaN晶体衬底的方法的特征在于：在所述生长GaN晶体的步骤中，在晶体生长表面形成刻面平面限定凹坑，其中生长温度为880-1000℃，生长速率为50μm/hr至150μm/hr，GaCl气体的分压为0.5kPa至2kPa，和NH3气的分压为5kPa至15kPa；和凹坑的凹坑尺寸增大因子为20％或以下，其中术语“凹坑尺寸增大因子”指的是相对于GaN晶体的厚度，凹坑直径增加的比例，由下面的等式定义：凹坑尺寸增大因子＝100％×L/H其中，H为GaN晶体的厚度，单位为μm；L为凹坑尺寸，单位为μm。