AlGaN材料表面淀积Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>界面过渡层的抑制方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN材料表面淀积Al₂O₃界面过渡层的抑制方法。其过程是：对淀积有AlGaN外延层的基片进行有机超声清洗，并用流动的去离子水冲洗吹干；放入HCl∶HF∶H₂O＝1∶1∶8的溶液中进行20～40s的腐蚀，并将腐蚀后的基片用流动的去离子水清洗吹干；调整感应耦合等离子体干法刻蚀机的上电极功率为200～400W，下电极功率为10W～30W；将吹干后的基片立即放入刻蚀机的反应室中，并调整反应室的N₂流量为5～15sccm，压力为1～2Pa进行等离子体表面处理；之后将基片立即放入原子层淀积设备的反应室中，进行后续淀积Al₂O₃介质工艺。本发明具有工艺简单，易于实施的优点，可用于对AlGaN材料表面淀积Al₂O₃界面过渡层的抑制，提高AlGaN/GaN MISHEMT器件击穿电压和使用寿命。

主权项

1.一种AlGaN材料表面淀积Al2O3界面过渡层的抑制方法，包括如下过程：(1)淀积有AlGaN外延层的基片进行有机超声清洗；(2)将清洗后的基片用流动的去离子水冲洗并用高纯氮气吹干；(3)将吹干后的基片放入HCl∶HF∶H2O＝1∶1∶8的溶液中进行20～40s的腐蚀；(4)将腐蚀后的基片用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；(5)将吹干后的基片立即放入感应耦合等离子体干法刻蚀机的反应室中采用N2进行等离子体表面处理；(6)将表面处理后的基片立即放入原子层淀积设备的反应室中，进行后续淀积Al2O3介质工艺。