| 发明名称 | 时效装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种时效装置，具备：半导体衬底、被形成在第1元件区域内的第1及第2扩散层、被形成在第1及第2扩散层间的沟道区域上的浮栅、以及相对于浮栅在横方向上隔开一定间隔并排形成的控制栅电极。浮栅与控制栅电极的耦合电容大于浮栅与半导体衬底的耦合电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101350350A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200810137968.3 | 申请日期 | 2008.07.17 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 渡边浩志;木下敦宽;小林茂树;萩岛大辅 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种时效装置，其特征在于包括：半导体衬底、被形成在上述半导体衬底的表面区域上的元件分离绝缘层、由上述元件分离绝缘层所包围的第1元件区域、被形成在上述第1元件区域内的第1及第2扩散层、被形成在上述第1及第2扩散层间的沟道区域上方的浮栅、以及相对于上述浮栅在横方向上隔开一定间隔并排形成的控制栅电极，其中，上述浮栅与上述控制栅电极的耦合电容大于上述浮栅与上述半导体衬底的耦合电容。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||