| 发明名称 | 一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池 | ||
| 摘要 | 一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池，包括：一基板，该基板的一面为照光面；一用于取出电能与提升光电转换的效率的透明导电膜，形成于该基板上；一用于产生空穴的非晶硅P型半导体层，形成于该透明导电膜上方；一由非晶硅与结晶硅相互堆栈而成并用以提高太阳能电池的电特性的超晶格半导体层，形成于该P型半导体层上方；一用以提高太阳能电池的电特性的本质型半导体层，该本质型半导体层内具有镶埋结晶硅，形成于超晶格半导体层上方；一用于产生电子的N型半导体层，形成于该本质型半导体层上方；以及一电极，形成于该N型半导体层上方。该超晶格半导体层利用不同材料分薄膜相互堆栈而成，用以提高光电特性，并增加太阳能电池分光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN201185192Y | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200820004224.X | 申请日期 | 2008.02.01 |
| 申请人 | 东捷科技股份有限公司 | 发明人 | 简永杰;杨茹媛;张育绮;田伟辰 |
| 分类号 | H01L31/075(2006.01);H01L31/036(2006.01) | 主分类号 | H01L31/075(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
| 主权项 | 1.一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，包含：一基板，该基板的一面为照光面；一用于取出电能与提升光电转换的效率的透明导电膜，形成于该基板上；一用于产生空穴的非晶硅P型半导体层，形成于该透明导电膜上方；一由非晶硅与结晶硅相互堆栈而成并用以提高太阳能电池的电特性的超晶格半导体层，形成于该P型半导体层上方；一用以提高太阳能电池的电特性的本质型半导体层，该本质型半导体层内具有镶埋结晶硅，形成于超晶格半导体层上方；一用于产生电子的N型半导体层，形成于该本质型半导体层上方；以及一用以取出电能与提升光电转换的效率的电极，形成于该N型半导体层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南县新市乡南科五路6号3楼 | ||