| 发明名称 | 基板处理装置 | ||
| 摘要 | 提供一种可适用于半曝光工艺，药液溶解回流工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、调整基板温度的温度调整处理单元(19)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN101350290A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200810087091.1 | 申请日期 | 2004.09.17 |
| 申请人 | NEC液晶技术株式会社 | 发明人 | 城户秀作 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种基板处理装置，在对基板实施处理的基板处理装置之中，其特征在于：配置有进行基板传送的基板传送机构、用于对基板实施药液处理以除去在所述基板上形成的有机膜图形上形成的变质层或堆积层的药液处理单元、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元，其中，所述气体气氛处理单元，使所述有机膜图形溶解变形，将变形后的有机膜图形作为掩膜，用于图形加工所述有机膜图形的底膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||