| 发明名称 | 通过包含无电和供电的阶段的湿式化学沉积而在图案化的电介质上形成金属层 | ||
| 摘要 | 本发明为通过在原位(in situ)进行无电沉积和电沉积工艺，而可提供高度可靠的金属化作用，其中可克服由用来形成籽晶层的知化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和物理气相沉积(PVD)技术所遭遇到的关于污染和器件缩放尺寸(device scaling)的限制。在一些实施例中，亦根据湿式化学沉积工艺而沉积阻挡层(barrier layer)。 | ||
| 申请公布号 | CN101351869A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200680049489.5 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | A·普罗伊塞;S·魏纳;M·诺普 |
| 分类号 | H01L21/288(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/288(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括下列步骤：通过施加电解液(118)和进行无电湿式化学沉积工艺而在半导体器件(100)的图案化层之上沉积金属(114)；以及在施加该电解液(118)以便进一步沉积该金属(114)时，在该电解液(118)中建立外部产生电场(119)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||