| 发明名称 | InSb薄膜磁传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及可高灵敏度地直接检测出磁通量密度，且可用于消耗电力和消耗电流较小的微小型InSb薄膜磁传感器的薄膜层压体以及InSb薄膜磁传感器。是将InSb薄膜作为磁传感部、或磁场检测部的InSb薄膜磁传感器。具备有：作为形成于基板(1)上的InSb薄膜的InSb动作层(3)、电阻高于该InSb动作层(3)或显示出绝缘性或p型传导性、能带隙大于InSb的Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>y</SUB>In<SUB>1－x－y</SUB>Sb混合晶层(0≤x、y≤1)(2)。混合晶层(2)设置于基板(1)和InSb动作层(3)之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)。 | ||
| 申请公布号 | CN101351902A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200680049524.3 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 旭化成株式会社 | 发明人 | 柴崎一郎;外贺宽崇;冈本敦 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01);G01R33/07(2006.01);G01R33/09(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | H01L43/06(2006.01) |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 侯莉 |
| 主权项 | 1.一种薄膜层压体，其特征在于，具备：作为形成于基板上的InSb薄膜的InSb动作层、电阻高于该InSb动作层或显示出绝缘性、能带隙大于InSb的AlxGayIn1-x-ySb混合晶层(0≤x、y≤1)；上述混合晶层设置于上述基板和上述InSb动作层之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)，或上述InSb动作层与相接的上述混合晶层的晶格失配在0.25％至1.0％的范围。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||