| 发明名称 | 有机薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 公开了一种有机薄膜晶体管，其中在基材上形成至少三个端子，即栅电极、源电极和漏电极、绝缘层和有机半导体层，并且在源电极和漏电极之间的电流通过将电压施加到栅电极来控制。所述有机半导体层包含含氮的杂环化合物，其中五元含氮环与五元或者六元环在稠合部分中稠合。该有机薄膜具有高响应速度和大的开关比。 | ||
| 申请公布号 | CN100454581C | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200480039496.8 | 申请日期 | 2004.10.27 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 中村浩昭;山本弘志 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L51/00(2006.01);C07D471/04(2006.01);C07D487/04(2006.01);C07D498/04(2006.01);C07D519/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种有机薄膜晶体管，其在基材上包含：至少三个端子，它们由栅电极、源电极和漏电极组成；绝缘层和有机半导体层，所述有机薄膜晶体管通过在栅电极上施加电压来控制源电极和漏电极之间流动的电流，其中所述有机半导体层包含含氮原子的杂环化合物，该杂环化合物通过五元环之间的稠合形成，所述五元环各自在其稠合位置具有氮原子，或者通过五元环和六元环之间的稠合形成，所述五元环和六元环各自在其稠合位置具有氮原子。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||