Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法

摘要

本发明是关于具有较低位错密度并且表面的载流子浓度分布基本上均匀的III-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法。本发明提供了位错密度低并且具有足够厚度的载流子浓度偏差范围较小的表面层的III-V族氮化物系半导体自支撑衬底及其制造方法。该半导体衬底是由在与衬底表面大致垂直的方向上存在许多载流子浓度与周围不同的区域的第一层和从表面到至少10μm深度的第二层构成，在第二层中基本上没有形成上述载流子浓度不同的区域，因而载流子浓度分布基本上是均匀的。

主权项

1.一种III-V族氮化物系半导体衬底，该半导体衬底是自支撑的III-V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，至少在衬底的从表面到至少10μm深度的表面层中，载流子浓度分布满足如下条件：如果载流子浓度是1×1017cm-3以上，则载流子浓度的偏差范围在±25％之内，如果载流子浓度低于1×1017cm-3，则的载流子浓度的偏差范围在±100％之内。