| 发明名称 | 半导体存储元件及为此的寿命操作开始装置 | ||
| 摘要 | 一种存储器(1)，设置有：地址控制部分(10)；保护膜(11)；特性恶化材料层(12)；数据存储区(14，15，16，17)；以及焊盘(18)。保护膜(11)保护构成半导体电路的有机半导体层并阻止空气中的水分或化学分子、光等侵入有机半导体层。通过损坏保护膜(11)并使用具体的方法开始有机半导体层的恶化，由此开始寿命期间的操作。此外，特性恶化材料层(12)含有用于恶化有机半导体的特性的材料，并且通过扩散材料到有机半导体层中开始有机半导体层的恶化。 | ||
| 申请公布号 | CN100454547C | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN03812559.5 | 申请日期 | 2003.05.19 |
| 申请人 | 日本先锋公司 | 发明人 | 黑田和男;柳沢秀一 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);G06F12/14(2006.01);G06K19/077(2006.01);G06K19/10(2006.01);H01L51/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;钟强 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储元件，包括：基板；由设置在基板上的有机半导体构成的半导体电路部分；邻接半导体电路部分设置的并具有窗口部分的保护部分；以及密封部件，其用于密封保护部分的窗口部分并且能够释放密封。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||