| 发明名称 | 整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法 | ||
| 摘要 | 提供一基底，于该基底上形成一顶层金属内连线层与一主绕组层。随后于该基底上形成一绝缘层，且该绝缘层具有多个开口暴露出部分该顶层金属内连线层。接下来，于该绝缘层上分别形成一副绕组层与至少一个金属焊垫，且该金属焊垫通过该些开口与该顶层金属内连线层电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN100454516C | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200610074355.0 | 申请日期 | 2006.04.17 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪建州;曾华洲;梁其翔;陈佑嘉;许村来 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01F41/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法，包括以下步骤：提供基底；于该基底上同时形成顶层金属内连线层与主绕组层；于该基底表面形成绝缘层，该绝缘层覆盖该主绕组层与该顶层金属内连线层，且该绝缘层具有多个开口，暴露出部分该顶层金属内连线层；以及于该绝缘层上同时形成副绕组层与至少一个金属焊垫，且该金属焊垫通过该些开口与该顶层金属内连线层电连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||