发明名称 |
GaN基板 |
摘要 |
在本发明的GaN基板的研磨方法中,首先,一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101),一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次,一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上,一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。 |
申请公布号 |
CN101350302A |
申请公布日期 |
2009.01.21 |
申请号 |
CN200810145427.5 |
申请日期 |
2005.12.28 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
松本直树 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01);B24B37/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1.一种GaN基板,其通过如下研磨方法制作,所述研磨方法包括:第1研磨工序,一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上,一边利用所述第1平台及所述研磨液研磨GaN基板;第2研磨工序,在所述第1研磨工序后,一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上,一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板;表面加工工序,在所述第2研磨工序前,对所述第2平台进行切削加工以使得平坦度为10μm以下;加料工序,在所述表面加工工序后、所述第2研磨工序前,将用于形成所述第2研磨材的第3研磨材埋入所述第2平台。 |
地址 |
日本大阪府 |