| 发明名称 | 电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电容器及其制造方法。该电容器包括：第一介电层；沟槽，设置于该第一介电层内，具有第一直径；第一导电层，顺应地设置于该沟槽内为该沟槽所露出的该第一介电层的底面与侧壁上；多个导电插拴，设置于该第一导电层的底面上，该导电插拴各自相隔一间距；电容层，顺应地设置于该导电插拴以及该第一导电层的表面上；以及第四导电层，覆盖该电容层之上，其中该电容层电学隔离该第二导电层与该导电插拴以及该第一导电层。本发明还提出相应的制造方法以形成上述的电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN101350355A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200710136818.6 | 申请日期 | 2007.07.17 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 吴孝哲;李名言;蔡文立 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种电容器，包括：第一介电层；沟槽，设置于该第一介电层内，具有第一直径；第一导电层，顺应地设置于该沟槽内，该第一导电层为该沟槽所露出的该第一介电层的底面与侧壁上；多个导电插拴，设置于该第一导电层的底面上，该导电插拴各自相隔一间距；电容层，顺应地设置于该导电插拴以及该第一导电层的表面上；以及第四导电层，覆盖该电容层，其中该电容层电学隔离该第二导电层与该导电插拴以及该第一导电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||