| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，上述半导体结构，包含：半导体衬底；第一导电类型的第一阱区于上述半导体衬底中；含金属层于上述第一阱区上，其中上述含金属层与上述第一阱区形成肖特基势垒；以及上述第一导电类型的第一重掺杂区于上述第一阱区中，其中上述第一重掺杂区水平地与上述含金属层隔开。本发明的优点包含降低制造成本与降低寄生电流与寄生电感。 | ||
| 申请公布号 | CN101350351A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200710186483.9 | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄婉华;吴国铭;林怡君;李明祥 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包含：半导体衬底；第一导电类型的第一阱区，位于所述半导体衬底中；含金属层，位于所述第一阱区上，其中所述含金属层与所述第一阱区形成肖特基势垒；以及所述第一导电类型的第一重掺杂区，位于所述第一阱区中，其中所述第一重掺杂区水平地与所述含金属层隔开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||