| 发明名称 | 半导体器件和制造该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高电压晶体管，该高电压晶体管包括尺寸较小的有源区。一种半导体器件，其包括：形成于半导体衬底中的隔离区；通过隔离区限定的有源区；在半导体衬底上的有源区内形成的栅电极，栅极绝缘体夹在栅电极和半导体衬底之间；提供在栅电极下方的半导体衬底中的沟道区；位于栅电极的两侧上的源极区和漏极区；位于沟道区和源极区或漏极区之间的漂移区，其中源极区和漏极区中的至少一个至少位于隔离区的一部分上并且通过漂移区连接到沟道区。 | ||
| 申请公布号 | CN101351892A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200680049666.X | 申请日期 | 2006.11.29 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 福井雄司;疋田智之;榎本修治;吉野和彦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其包括：在半导体衬底中形成的隔离区；通过隔离区限定的有源区；在半导体衬底上的有源区内形成的栅电极，栅极绝缘体夹在该栅电极和该半导体衬底之间；提供在该栅电极下方的半导体衬底中的沟道区；位于该栅电极的两侧上的源极区和漏极区；和位于该沟道区和该源极区或该漏极区之间的漂移区，其中该源极区和该漏极区中的至少一个至少位于该隔离区的一部分上，并且经由漂移区连接到该沟道区。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||