| 发明名称 | 缩短光致抗蚀剂涂布流程的方法 | ||
| 摘要 | 一种缩短多个晶片的光致抗蚀剂涂布流程的方法。以第一光致抗蚀剂对第一晶片进行第一涂布工艺，以第二光致抗蚀剂对第二晶片进行第二涂布工艺，此方法包括于第一涂布工艺后段未使用喷嘴的期间，同时执行第二光致抗蚀剂的预喷操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101349868A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200710136679.7 | 申请日期 | 2007.07.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈俊秀;钟兆营;陈儒德;吴昭宪 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种缩短光致抗蚀剂涂布流程的方法，适用于多个晶片上的光致抗蚀剂涂布，以第一光致抗蚀剂对第一晶片进行第一涂布工艺，以第二光致抗蚀剂对第二晶片进行第二涂布工艺，该方法包括于该第一涂布工艺后段未使用喷嘴的期间，同时执行该第二光致抗蚀剂的预喷操作。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||