发明名称 半导体激光器的控制方法
摘要 本发明提供一种半导体激光器的控制方法,该半导体激光器包括具有彼此不同的波长特性的多个波长选择部、并且该半导体激光器安装在温度控制装置上,本发明的方法包括:第一步骤,根据该半导体激光器的检测输出波长校正该温度控制装置的温度;和第二步骤,控制所述波长选择部中的至少一个波长选择部,以减小所述多个波长选择部的各波长特性之间的改变量差,该改变量差是由于校正该温度控制装置的温度而造成的。
申请公布号 CN101350498A 申请公布日期 2009.01.21
申请号 CN200810133961.4 申请日期 2008.07.18
申请人 优迪那半导体有限公司 发明人 田中宏和;石川务;町田豊稔
分类号 H01S5/06(2006.01) 主分类号 H01S5/06(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 黄纶伟
主权项 1、一种半导体激光器的控制方法,该半导体激光器包括具有彼此不同的波长特性的多个波长选择部、并且该半导体激光器安装在温度控制装置上,所述方法包括:第一步骤,根据所述半导体激光器的检测输出波长校正所述温度控制装置的温度;以及第二步骤,控制所述波长选择部中的至少一个波长选择部,以减小所述多个波长选择部的各波长特性之间的改变量差,所述改变量差是由于校正所述温度控制装置的温度而造成的。
地址 日本山梨县
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