磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置

摘要

本发明涉及一种磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本发明的一种磁约束磁控溅射方法，是在溅射靶的表面上方空间形成一个总体方向平行于靶面的磁约束磁场，利用该方法所制造磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。其可以有效克服现有技术存在的靶材利用率低和沉积速率低的问题。

主权项

1、一种磁约束磁控溅射方法，是在溅射靶的表面上方空间形成一个总体方向平行于靶面的磁约束磁场。