| 发明名称 | 形成铝金属引线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN100454515C | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN03107338.7 | 申请日期 | 2003.03.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李钟鸣;朴仁善;李德;全宗植 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种在一衬底的一接触孔或沟槽中形成铝引线的方法，其中，该衬底包括一上主表面，以及该接触孔或沟槽由一在该衬底的该上主表面下延伸的内表面定义，所述方法包括：在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层；对该中间层的位于该衬底的主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层；以及仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分上化学汽相沉积一铝膜，其中，对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积；其中，所述利用等离子体的处理和所述化学汽相沉积在没有插入的真空间歇的情况下实施，，且其中，该等离子体为N2等离子体，通过将Ar和N2导入一腔中获得，且该Ar和该N2在0.1至5torr的压强下导入，Ar的流速为50至1000sccm而N2的流速为50至1000sccm，等离子体功率为50至300watts。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||