磁性随机存取记忆体的写入线路

摘要

本发明是有关于一种磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法，其中该磁性随机存取记忆体主要包括具有一宽度的磁性穿隧式接面、具有一第一写入线宽的第一写入线路以及具有一第二写入线宽且正交于第一写入线路的第二写入线路，且其中该第一写入线路与第二写入线路的宽度小于该磁性穿遂式接面的宽度，且至少一者的宽度大于该磁性穿隧式接面的宽度的一半。本发明的写入线路的宽度小于MTJ晶胞质或是守护层，以增加MRAM记忆体阵列的磁场。此外，该方法还可减少因写入线路的不平坦CMP表的宽度，可以有效缩小MRAM记忆体所使用的面积。并且使用环绕的磁性材面而导致元件缺陷的可能性。

主权项

1、一种磁性随机存取记忆体，其特征在于其至少包括：一磁性穿隧式接面，具有一宽度；一第一写入线路，具有一第一写入线宽；以及一第二写入线路，该第二写入线路是正交于该第一写入线路，具有一第二写入线宽；其中该第一写入线路与该第二写入线路的宽度小于该磁性穿遂式接面的宽度，且至少一者的宽度是大于该磁性穿隧式接面的宽度的一半。