微波等离子体处理装置

摘要

本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置；所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置设定在，形成于等离子体处理室内部的电场强度分布中的、电场强度分布的波节位置。

主权项

1.一种微波等离子体处理装置，具有将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件、使所述基体的内部及外部减压的抽气构件、处于所述基体的内部，形成所述等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入所述等离子体处理室进行处理的微波引入构件，其特征在于，在所述固定构件的支持所述基体的部分上设置微波密封构件，该微波密封构件与所述固定构件的位于等离子体处理室内的面之间的距离D为0～55mm，而且，所述微波密封构件与所述处理用气体供给构件前端部之间的距离L满足以下所述的关系式，即A.0≤D＜20的情况下，L＝(nλ/2+λ/8)-3+αB.在20≤D≤35的情况下，L＝(nλ/2+λ/8)-(-0.060D2+4.2D-57)+αC.在35＜D≤55的情况下，L＝(nλ/2+λ/8)-(-0.030D2+2.1D-21)+α其中，n为整数，λ为微波波长，α为考虑所述基体对于电场的影响等的变动幅度，为±10mm。