| 摘要 |
<p>Gitt er: en prosess for sikkert å produsere ved hjelp av en lav kostnad et halvledersubstrat med utmerket effektivitet ved fotoelektrisk omdannelse, og som har stabil etsningsrate og er pyramideformet, som er kapabel til å enhetlig danne en fin ujevn struktur med ønsket størrelse tilpasset for en solcelle på overflaten; et halvledersubstrat til en applikasjon for solenergisom har en enhetlig og fin pyramideformet ujevn struktur i et plan¸ og en etsningsløsning for å danne et halvledersubstrat som har en enhetlig og fint ujevn struktur, som har en høy stabilitet ved begynnende bruk. Prosessen består av etsning av et halvledersubstrat ved bruk av en alkalisk etsende løsning inneholdende i det minste en type valgt fra en gruppe bestående av karboksylsyrer som har et karbonnummer på1 til 12 og som har i det minste en karboksylgruppe i et molekyl, derav salter, og silikon, for dermed å danne en ujevn struktur på overflaten til halvleder substratet.</p> |
