溅镀标靶、氧化物半导体膜及半导体装置

摘要

本发明之溅镀标靶，其系由含铟（In）及至少一种以上选自钆（Gd）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）及镱（Yb）之元素的氧化物之烧结体所成，其特征为该氧化物之烧结体系实质上由方铁锰矿构造所成。