| 摘要 |
〔课题〕提供一种稳定制造结晶缺陷较少之矽单结晶之方法、以及用以决定该稳定条件之方法。〔解决手段〕藉由CZ法将矽单结晶11上拉而进行制造的方法系当进行该上拉时，藉由以包围矽单结晶11的方式所配置的冷却器24、以包围该冷却器24之外侧及下侧的方式所配置的热遮蔽体24，进行将矽单结晶11予以冷却的冷却步骤，且藉由事先调整自设在冷却器24下侧之热遮蔽体23的下面至矽熔液13表面为止的距离（下称为Ms），进行决定获得结晶缺陷较少之矽单结晶11之上拉速度容许范围的Ms调整步骤，而以该所决定之容许范围内之上拉速度进行前述上拉。 |
