超晶格基极异质结构双极性电晶体

摘要

本发明揭示一种具有砷化铟镓/砷化镓(InGaAs/GaAs)超晶格基极之磷化铟镓/砷化镓(InGaP/GaAs)异质结构射极双极性电晶体。相较于传统的异质结构射极双极性电晶体，本发明之超晶格基极元件因载子穿透行为使该超晶格基极区域有较多的少数载子储存，其具有高的集极电流、高的电流增益及相当低的基-射极导通电压。此低的基-射极导通电压可降低元件的操作电压与集-射极补偿电压，极适于低功率消耗之电路应用。