具有利用通道隔离切换之提升的非挥发性储存器及其方法

摘要

藉由防止所选NAND串中之源极侧提升来减少非挥发性储存器中之程式干扰。利用一包括一隔离字线之自我提升模式。在该隔离字线之一汲极侧上提升一受抑制NAND串之一通道区域之前，在该隔离字线之一源极侧上提升该通道。另外，该隔离字线附近之储存元件在该源极侧提升期间保持于一传导状态中，使得该源极侧通道连接至该汲极侧通道。以此方式，在所选NAND串中，可不发生源极侧提升，且因此，可防止归因于源极侧提升之程式干扰。在该源极侧提升之后，将该源极侧通道与该汲极侧通道隔离，且执行汲极侧提升。