半导体光元件之制造方法

摘要

〔课题〕在稳定地防止波导脊之半导体层与电极层之接触面积减少，且防止该半导体层中的蚀刻损伤。〔解决手段〕本发明系在半导体叠层构造之表面上形成阻剂图案76，藉由乾式蚀刻形成波导脊40，在将阻剂图案76残留在波导脊40之表面上的情形下直接在n-GaN基板12上形成SiO#sB!2#eB!膜78，接着将波导脊40顶部上的SiO#sB!2#eB!膜78露出，而形成具有与p-GaN层74之下面相同程度之高度的表面而埋设通道38之SiO#sB!2#eB!膜78的阻剂图案82，以阻剂图案82为遮罩而去除SiO#sB!2#eB!膜78，在SiO#sB!2#eB!膜78形成开口部44a，藉由使用有机溶媒的湿式蚀刻来去除阻剂图案76与阻剂图案82，而形成p侧电极46。