| 摘要 |
[课题]在经由热硬化性之接着薄片而将半导体晶片完全地接着于具备有配线图案之基板上的情况时，以不使气泡混入至接着薄片与基板之间的方式来作接着。[解决手段]于对在基板CB上经由热硬化性之接着薄片S而被假接着有半导体晶片C之接着对象物D加热而进行接着之半导体晶片接着装置1中，系具备有：包含对前述接着对象物D进行加热之加热手段18的加热炉14；和对前述加热炉14内进行氮气的供给，而将该当加热炉14内作加压之加压手段27；和从前述加热炉14内而进行排气之排气手段30；和检测出前述加热炉14内部之氮气浓度的氮气浓度感测器31，前述半导体晶片接着装置1，系于对加热炉14内作加压之前段，将排气手段30设为开放状态并进行加压手段27所致之氮气供给，同时，经由前述氮气浓度感测器31而检测出加热炉14内之氮气浓度系到达了特定之值一事，而将排气手段30设为闭锁状态，并进行加压手段27所致之加压。 |
