发明名称 |
半导体制程中的测试结构及其形成方法与重复利用的遮罩 |
摘要 |
藉由一遮罩在半导体制程期间形成不同类型之测试结构,该遮罩经重复利用以在多个层中形成相同图案。亦藉由该遮罩形成允许检查对准准确性之参考标记。一类型之测试结构包含彼此对准且由不同层形成之特征。其他类型之测试结构包含由各别层形成之特征,其不与其他测试结构特征对准。不同类型之测试结构藉由单一遮罩形成,以亦允许形成在图案化后续层时不彼此干扰的对准标记之方式使用该遮罩。不同类型之测试结构可随着半导体制程继续而提供对不同类型之装置之效能特征的洞见。 |
申请公布号 |
TW200903687 |
申请公布日期 |
2009.01.16 |
申请号 |
TW097124580 |
申请日期 |
2008.06.30 |
申请人 |
桑迪士克有限公司 |
发明人 |
卡文K 里;陈永田;陈晏新;保罗维凯布 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡朝安;郑淑芬 |
主权项 |
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地址 |
美国 |