| 摘要 |
藉由在测量一记忆体装置中之作为一整体之一组储存元件的一特性的同时扫描一控制闸电压，而测量该组储存元件之一临界电压分布。该特性指示该等储存元件中有多少储存元件满足一给定条件，诸如处于一传导状态。举例而言，该特性可为在该组储存元件之一共同源极处测量的该组储存元件之一组合电流、电压或电容。可在一记忆体晶粒内内部地产生该控制闸电压。类似地，可在该记忆体晶粒内内部地判定该临界电压分布。视情况，可(诸如)藉由改变一位元线电压而锁定变为传导之储存元件，使其不再影响该特性。基于该临界电压分布而判定新的读取参考电压，以减少未来读取操作中之错误。 |
