发明名称 CVD成膜装置
摘要 一种CVD成膜装置,系一边藉由加热机构将被载置于载置台22的晶圆W加热,一边在晶圆的表面使成膜用气体反应以藉由CVD在晶圆W上成膜特定膜的CVD成膜装置,又具备:盖罩构件24,具有母材24a与设置于母材之至少背面侧的低辐射率膜24b,以覆盖载置台22之晶圆W的外侧部分。
申请公布号 TW200902754 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097111433 申请日期 2008.03.28
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 山崎英亮;军司勋男;黑岩大佑
分类号 C23C16/52(2006.01);C23C16/46(2006.01);H01L21/67(2006.01) 主分类号 C23C16/52(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本