发明名称 | CVD成膜装置 | ||
摘要 | 一种CVD成膜装置,系一边藉由加热机构将被载置于载置台22的晶圆W加热,一边在晶圆的表面使成膜用气体反应以藉由CVD在晶圆W上成膜特定膜的CVD成膜装置,又具备:盖罩构件24,具有母材24a与设置于母材之至少背面侧的低辐射率膜24b,以覆盖载置台22之晶圆W的外侧部分。 | ||
申请公布号 | TW200902754 | 申请公布日期 | 2009.01.16 |
申请号 | TW097111433 | 申请日期 | 2008.03.28 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 山崎英亮;军司勋男;黑岩大佑 |
分类号 | C23C16/52(2006.01);C23C16/46(2006.01);H01L21/67(2006.01) | 主分类号 | C23C16/52(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |