记忆体存取方法

摘要

一种记忆体存取方法。记忆体包括多个多位阶单元，每一个多位阶单元可储存2n位元，n为正整数。此记忆体存取方法包括，首先分别定义每个多位阶单元之临界电压为2#sP!n#eP!位阶，每一位阶均对应至一n位元之储存状态，0~2#sP!n/2#eP!－1位阶所对应之储存状态之最高效位元系不同于2#sP!n/2#eP!~2#sP!n#eP!－1位阶所对应之储存状态之最高效位元。接着，分割一目标资料为n个部份并分别写入n个暂存记忆体。然后，将目标资料之n位元写入多位阶单元，其中每一位元系由每一暂存记忆体撷取而得到。目标资料目标资料目标资料最高效位元最低效位元。