半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一基板；于上述基板上依序形成一绝缘层、一导电层和一矽化物层；于上述矽化物层上形成一硬遮罩层，并暴露出部分上述矽化物层；进行一第一蚀刻步骤，移除未被上述硬遮罩层覆盖的上述矽化物层及其底下之上述导电层，以形成一闸极叠层结构；利用包括氢氧化铵的一蚀刻剂，进行一第二蚀刻步骤，以移除在上述第一蚀刻步骤中，可能残余之未被上述硬遮罩层覆盖的上述导电层。