发明名称 |
包含重新映射坏区块位址之非挥发性记忆体装置与系统以及其操作方法 |
摘要 |
可藉由重新映射记忆卡中之第一非挥发性MAT中之坏区块的位址以及重新映射记忆卡中之第二非挥发性MAT中之坏区块的位址来提供操作包含在记忆卡中之非挥发性记忆体装置之方法,第二非挥发性MAT包含与第一非挥发性MAT中之区块位址映射的区块。亦可藉由自高于非挥发性记忆体装置之最低区块位址之起始区块位址处,开始顺序地扫描非挥发性记忆体装置中之区块,以发现指示各别区块为坏区块的资料,来提供扫描非挥发性记忆体装置以发现坏区块的方法,其中起始区块位址是基于非挥发性记忆体装置之良率。 |
申请公布号 |
TW200903516 |
申请公布日期 |
2009.01.16 |
申请号 |
TW097118364 |
申请日期 |
2008.05.19 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
边大锡 |
分类号 |
G11C8/12(2006.01);G11C16/06(2006.01);G11C29/00(2006.01) |
主分类号 |
G11C8/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
主权项 |
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地址 |
南韩 |