| 摘要 |
一种半导体记忆装置，包括有一第一记忆单元区，包含复数个记忆单元；一第二记忆单元区，包含复数个记忆单元，该第二记忆单元区系设置于邻近该第一记忆单元区；一次局部资料汇流排，系与每个第一和第二记忆单元区中之部分记忆单元耦接，该次局部资料汇流排系用以执行该第一和第二记忆单元区之资料输入输出运作；一资料汇流排区，系设置于该第一和第二记忆单元区之间；一第一局部资料汇流排，系设置于该资料汇流排区内，且系用以执行该次局部资料汇流排与一第一资料输入输出感应放大器之资料输入输出运作；及一第二局部资料汇流排，系设置于该资料汇流排区内，且系同样用以执行该次局部资料汇流排与一第二资料输入输出感应放大器之资料输入输出运作。 |
