发明名称 研磨液
摘要 本发明之课题在于提供一种研磨剂,其系使用在研磨由阻障金属材料构成的阻障层之阻障CMP中所用之固体研磨粒,能够高研磨速度地维持相对于研磨阻障层时之被研磨膜的研磨速度,并且能够充分抑制相对于低介电常数Low-k膜的研磨速度。而用以解决问题之手段为一种为了研磨半导体积体电路阻障层之研磨液,其特征在于含有抗静电剂。
申请公布号 TW200902694 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097109775 申请日期 2008.03.20
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 上村哲也
分类号 C09K3/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 C09K3/14(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本