发明名称 | 具有单边连线结构的深沟槽元件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明揭示一种具有单边连线结构的深沟槽元件。深沟槽元件包括:设置于一基底的沟槽的下半部的一埋入式沟槽电容、设置于沟槽的上半部侧壁的一非对称领型绝缘层及设置于沟槽的上半部一连线结构。连线结构包括:一磊晶矽层及一金属层,其中磊晶矽层邻近设置于非对称领型绝缘层的一相对低部上,而金属层设置于非对称领型绝缘层的一相对高部与磊晶矽层之间。一导电层设置于埋入式沟槽电容与该连线结构之间,作为两者之电性连接。一上盖层设置于连线结构上。本发明亦揭示上述深沟槽元件的制造方法。 | ||
申请公布号 | TW200903729 | 申请公布日期 | 2009.01.16 |
申请号 | TW096125181 | 申请日期 | 2007.07.11 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林瑄智;程谦礼 |
分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |