| 摘要 |
本发明提供一种积层正热阻器，其中位于陶瓷素体部之半导体陶瓷层之孔隙率大致维持与以往等高，同时位于陶瓷素体表面部之半导体陶瓷层之孔隙率比位于陶瓷素体部之半导体陶瓷层之孔隙率高。本发明之积层正热阻器，其特征为具有：陶瓷素体，其系由复数半导体陶瓷层与复数内部电极积层而成，该等半导体陶瓷层包含以BaTiO#sB!3#eB!为主成分并含稀土类元素作为半导体化剂之陶瓷材料；将分别位于积层方向最外侧之2个内部电极间所存在之复数半导体陶瓷层作为有效层，将比分别位于最外侧之2个内部电极更加位于陶瓷素体表面部之半导体陶瓷层作为保护层时，保护层所含之半导体化剂之离子半径比有效层所含之半导体化剂之离子半径大。 |
