闸氧化层之制造方法

摘要

在传统的闸氧化层制程中，位在主动区边缘的闸氧化层会长得比较厚，是因为在主动区的上表面以及侧面会同时生长闸氧化层之故。在浅沟渠隔离制程中填入绝缘层于沟渠内的步骤之前，加入对主动区边缘之基底进行自我对准之氮离子植入步骤来抑制，主动区边缘之闸氧化层的成长速度。如此可达成后续对于主动区边缘之闸氧化层厚度之局部控制，这对于高密度记忆体元件十分重要。