单次可程式记忆体及其制造方法

摘要

本发明提出一种单次可程式记忆体及其制造方法。单次可程式记忆体包含了设置于基底上之记忆胞，基底中具有阶梯状之开口，开口具有上层之阶部与下层之凹陷部。记忆胞包含有浮置闸极、选择闸极、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。其中，浮置闸极设置于凹陷部侧壁，选择闸极设置于阶部侧壁，第一掺杂区设置于凹陷部底部之基底中，第二掺杂区设置于阶部底部之基底中，第三掺杂区则设置于阶部顶端之基底中。