| 摘要 |
本发明之一具体实施例中，一AlInGaP LED包括一底部n型层、一作用层、一顶部p型层及一在该顶部p型层上之厚n型GaP层。厚n型GaP层系接着进行电化学蚀刻程序，其使该n型GaP层变成多孔性及光扩散。电接触系藉由透过多孔性层提供金属填充通道产生到达该多孔性n-GaP层下之p-GaP层，或电接触系透过多孔性区间之GaP层的非多孔性区产生。LED晶片可安装在一子基板上，其中该多孔性n-GaP层面对子基板表面。该等孔及金属层反射及扩散光，其大幅地增加该LED的光输出。本发明揭示LED结构之其他具体实施例。 |
