| 摘要 |
提供一种，在半导体基板的磊晶成长时，降低微粒发生及附着物，使其生产性的提升变为容易的气相成长装置。该气相成长装置，系处理炉顶部具备气体供给口、在内部具备气体整流板、在底部具备排气口、用来将气体整流板载置于头部并覆盖处理炉侧壁的衬垫、用来载置半导体晶圆W的环状支撑器、使环状支撑器旋转的旋转单元、加热半导体晶圆W的加热器。旋转单元系与中空的旋转轴呈一体，加热器系固设在，被贯通设置于旋转轴内部之支持轴的支持台上。气体整流板与环状支撑器的离间距离系被设定成，使得从气体供给口通过气体整流板而流下的成膜用气体，是在半导体晶圆W面上或环状支撑器面上呈现整流状态。 |
