发明名称 程式化及/或删除记忆体装置以回应其程式及/或删除历程
摘要 对于一具体实施例,施加至一或多个记忆体单元(308)之一或多个程式脉冲的一程式起动电压系至少部分回应先前用以程式化该一或多个记忆体单元所要求之程式脉冲的一数目,及/或施加至一或多个记忆体单元(308)之一或多个删除脉冲的一删除起动电压系基于先前用以删除该一或多个记忆体单元(308)所要求之删除脉冲的一数目。对于另一具体实施例,施加至一或多个记忆体单元(308)之一或多个程式及/或删除脉冲的一程式起动电压位准及/或一删除起动电压位准系至少部分回应于先前施加至该一或多个记忆体单元(308)之程式/删除循环的一数目。
申请公布号 TW200903501 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097115460 申请日期 2008.04.25
申请人 美光科技公司 发明人 李濬;佛瑞德 杰芬三世
分类号 G11C16/34(2006.01) 主分类号 G11C16/34(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国