发明名称 于蚀刻大纵横比结构时用以降低微负载效应的方法
摘要 本发明提供一种在导电层中蚀刻不同纵横比之特征部的方法。该方法包含:利用纵横比相依沉积(aspect ratio dependent deposition),在该导电层上方进行沉积;利用该导电层的纵横比相依蚀刻(aspect ratio dependent etehing),蚀刻特征部进入该导电层内;以及重复该沉积步骤以及该蚀刻步骤至少一次。
申请公布号 TW200903634 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097120581 申请日期 2008.06.03
申请人 兰姆研究公司 发明人 符谦;刘身健;李原铁;布莱恩 卜
分类号 H01L21/3065(2006.01);H01L21/3213(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 许峻荣
主权项
地址 美国