发明名称 接触元件及接触元件之制造方法
摘要 接触元件50包括:矽层56b,构成梁部53的一部份,梁部53的后端侧设于基部51而前端侧从基部51突出;SiO#sB!2#eB!层56a,形成于矽层56b上而做为绝缘层;以及形成于SiO#sB!2#eB!层56a上的导电层54。
申请公布号 TW200902987 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097109445 申请日期 2008.03.18
申请人 阿德潘铁斯特股份有限公司 发明人 北爪秀宪;野宏二
分类号 G01R1/073(2006.01);G01R1/067(2006.01) 主分类号 G01R1/073(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本