形成以闸应激源为特色之半导体装置的方法和半导体装置

摘要

本发明揭示一种半导体装置(10)，其系形成于一半导体层(12)内。一闸堆叠(16、18)系形成于该半导体层上，且包含一第一传导层(22)与一在该第一层上的第二层(24)。该第一层系更具传导性且比该第二层提供更多的终止能力至一植入。一物种(46)系植入于该第二层内。源极/汲极区域(52)系形成于该闸堆叠之相对侧上的该半导体层内。在植入步骤之后，加热该闸堆叠，以使该闸堆叠在该闸堆叠下之一区域内的该半导体层内施加应力。