氮化物系半导体发光元件、及制作氮化物系半导体发光元件之方法

摘要

本发明之活性层17系设置成可产生波长440 nm以上550 nm以下之范围之发光波长之光。第1导电型氮化镓系半导体区域13、活性层17及第2导电型氮化镓系半导体区域15系排列于特定轴Ax之方向。活性层17系包含含有六方晶系In#sB!X#eB!Ga#sB!1-X#eB!N(0.16≦X≦0.35)之井层。六方晶系In#sB!X#eB!Ga#sB!1-X#eB!N之a面系朝向特定轴Ax之方向。井层之厚度系大于2.5 nm且10 nm以下。将井层之厚度设定于2.5 nm以上时，可制作发光波长440 nm以上之发光元件。