发明名称 研磨半导体晶圆之方法
摘要 本发明涉及一种研磨半导体晶圆的方法,藉由分别将冷却剂提供到半导体晶圆和至少一个研磨工具之间的接触区中而借助该至少一个研磨工具对该半导体晶圆进行加工从而除去其一面或两面上的材料,该方法的特征在于根据该至少一个研磨工具的研磨齿高度之函数以分别选择冷却剂的流速,并且该冷却剂的流速随着该研磨齿高度的下降而减小。
申请公布号 TW200903620 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097124732 申请日期 2008.07.01
申请人 世创电子材料公司 发明人 邱奇姆 将吉;罗伯特 外斯
分类号 H01L21/304(2006.01);B24B37/04(2006.01);B24B7/22(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 陈翠华
主权项
地址 德国