金属膜之成膜方法、多层配线构造之形成方法、半导体装置之制造方法、成膜装置

摘要

成膜方法是由第1工程和第2工程所构成，第1工程系以气相分子之形式将金属元素之羰基原料以及抑制上述气相分子之分解之气相成分，在将上述气相成分之分压设定成抑制上述气相分子之分解的第1分压之状态下，同时供给至被处理基板表面；第2工程系在上述被处理基板表面使上述气相成分之分压变化成上述羰基原料之分解所产生之第2分压，并使上述金属元素堆积于上述被处理基板表面。